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Micron Technology

US/Micron 갱신 1일 전
PDF 섹션 비교 검색
ULID
01KPF7ZAV61S8AKHYBE9SNPCKT
슬러그
micron
국가
US
섹터
semiconductor
티커
MU @NASDAQ
LTM 매출
$58.1B
2026-02-26
영업이익률
48.3%
LTM operating margin
매출 YoY
+85.5%
latest comparable
DRAM NAND HBM3E HBM4 AI Memory CHIPS Act Indiana fab HBM DRAM / Memory NAND / Storage AI Infra Cyclical Advanced Node Advanced Packaging Robotics

매출·이익 추이 (분기)

매출
영업이익
순이익

마진 추이 (%)

매출총이익률
영업이익률
순이익률

주당이익 · EBITDA

주당순이익 (EPS, 분기)
EBITDA (분기)

재무상태 as of 2026-02-26

총자산
0.10T
자본총계
0.07T
현금성자산
—
자기자본이익률 (LTM)
33.3%

투자 논리 트래커

최종 갱신 2026-05-28
투자의견HOLD
12개월 목표$ 880
기본 업사이드+16.4%
Bull / Bear+45.0%·-35.0%
확신도medium
포지션3.0%

핵심 논거 (5)

  • HBM3e 12Hi NVDA + AMD 다중 customer (점유율 회복 진행)high2026-05-22
  • HBM4 NVDA re-qualification binary (Q2 2026 deadline)medium2026-05-22
  • DRAM + NAND 동시 사이클 정점 진입high2026-05-22
  • Idaho fab CHIPS Act 보조금 수혜 (CAPEX 부담 완화)medium2026-05-22
  • HBM4 2027 양산 점유 30%+ target (장기 thesis)medium2026-05-22

핵심 지표 (5)

지표목표현재
매출 YoY+50%+55% (Q2 FY26)
HBM 매출 비중20%+15% (Q2 FY26)
GPM38%+36% (Q2 FY26)
NTM PER12-15x13x
Contract Liability YoY (best_proxy)+20%++15% (2025-09, $2.4B)

마일스톤 캘린더 (5)

  • 2026-06-30경과D+9highSamsung HBM4 NVDA 공급 개시 (Micron 점유율 cap 우려)D-38
  • 2026-07-15대기D-6highNVDA Rubin 양산 시작 = Micron HBM4 인증 deadline (binary)D-53
  • 2026-08-27예정D-49highNVDA Q2 FY27 (HBM 다변화 vendor commentary)D-96
  • 2026-09-25예정D-78highMU Q4 FY26 실적 (FY27 가이던스 + HBM4 sampling 진척)D-125
  • 2026-09-30예정D-83highNVDA HBM4 re-qualification 결과 확정 (Micron 채택 binary)D-130

청산 시그널 (4)

⚠ 아래 조건 도달 시 우측 action 그대로 실행

  • NVDA HBM4 Micron 채택 실패SK하이닉스/Samsung exclusive 확정trim 60%
  • DRAM ASP -15%+ 분기 하락사이클 둔화 명확trim 40%
  • HBM 매출 비중 < 15% 2분기 연속HBM 점유 확장 실패trim 30%
  • 목표가 $880 도달주가 $880+trim 30% (이익실현)

촉매 ↑ (2)

  • [NEW 2026-05-28] FY26Q2 (calendar 1Q26) OP $11.7B (QoQ +185%). 메모리 3사 합산이 NVDA OP 1.83x 추월 — Micron 단독으로 메모리 모멘텀 강화
  • [NEW 2026-05-28] VR200 메모리 비중 +440% (Morgan Stanley): HBM3E 12-high + 128GB 모듈 + LPDDR5X DC 채택 동력

리스크 ↓ (4)

  • NVDA HBM4 SK하이닉스/Samsung exclusive 결정 시 -35% bear case
  • DRAM 사이클 정점 (2027 둔화 시나리오)
  • 중국 CXMT DDR5 점유 확대
  • 환율 변동 + Idaho fab CAPEX 부담

Best-Fit Proxy 트래커

매출·영업이익과 통계적으로 가장 잘 맞는 선행지표 상위 3개

Pearson 상관계수 + lag sweep으로 산출 (n ≥ 8, p < 0.10 내부 / p < 0.05 광역). 양의 상관·선행 proxy를 우선 가산. 도메인 검증 필수 — 차트는 lag-shift 정렬 후 시각적 정합성 확인용. Source 컬럼은 fit이 발견된 후보 풀 (직접 연결 / 클러스터 / 광역 탐색) 을 표시. 자세한 알고리즘: compute_best_fit_proxies.py.

프록시타깃r시차pn출처
한국 반도체 IC 수출 (HS 8542 전체, 월별)매출 YoY+0.94동시<0.00112직접 연결
한국 메모리 IC 수출 (HS 854232, 월별) ⭐매출 YoY+0.92동시<0.00112직접 연결
한국 NAND 플래시 수출 (월별, HS 8542321030)매출 YoY+0.76+1Q 선행0.00412직접 연결

한국 반도체 IC 수출 (HS 8542 전체, 월별)

infra_proxies.macro_indicators (series_id=customs:HS8542_semiconductor_ic_export)

BEST FIT
매출 YoY r = +0.94 동시 p = 0.000 n = 12 직접 연결
시계열 로딩…

관세청 nitemtrade HS 8542 (집적회로 일체) 월별 수출. 메모리·로직·기타 IC 모두 합산. SK하이닉스·삼성전자 매출의 가장 빠른 leading indicator. YoY 가속 = 글로벌 반도체 사이클 회복 시그널.

한국 메모리 IC 수출 (HS 854232, 월별) ⭐

infra_proxies.macro_indicators (series_id=customs:HS854232_memory_ic_export)

BEST FIT
매출 YoY r = +0.92 동시 p = 0.000 n = 12 직접 연결
시계열 로딩…

HS 854232 = 메모리 IC (DRAM/NAND/HBM 합산). SK하이닉스·삼성전자 메모리 매출의 *가장 강력한* leading indicator. HBM ASP × 본 시계열 = 분기 매출 1차 추정. NVDA HBM 조달 사이클의 한국측 노출.

한국 NAND 플래시 수출 (월별, HS 8542321030)

관세청 / Comtrade NAND Flash HS 8542321030

BEST FIT
매출 YoY r = +0.76 +1Q 선행 p = 0.004 n = 12 직접 연결
시계열 로딩…

한국 NAND 수출 — Kioxia·Micron·WD와 함께 글로벌 점유 추적. DRAM 대비 사이클 위상이 다를 수 있어 메모리 사이클 다층 분석. AI 서버용 enterprise SSD 수요 확대가 본 시계열 가속의 동인. 한국 NAND fab 가동률 → 한국 NAND 장비/소재사 매출의 가장 직접적 driver.

섹션 (16)

이 분석이 다루는 주제. 섹션을 클릭하면 전체 보고서 PDF의 해당 페이지로 이동합니다.

클러스터 (12)

360도 관계 맵

이 노드를 중심으로 1촌 내 공급망(Value Chain) 및 협력/경쟁 관계망을 입증하는 대화형 D3 3D 토폴로지 맵입니다. 노드를 드래그하거나 더블클릭하여 해당 항목으로 넘어갈 수 있습니다.

관계 맵 불러오는 중…

연결 관계 (25)

클러스터 YAML( graph/clusters/<id>.yaml )에 정의된 관계. 의미 유사도만으로는 드러나지 않는 인접 엔티티로 이동할 때 활용합니다.

→ 나가는 연결 (3)

← 들어오는 연결 (22)

보고서

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