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보고서

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원문 섹션

투자 논거thesis
리스크·촉매risks-catalysts
Ai Cycle Thesisai-cycle-thesis
Etf Flowsetf-flows
Hbm Crossoverhbm-crossover
Market Size Cyclemarket-size-cycle
Players Positioningplayers-positioning
Supply Chain Bottleneckssupply-chain-bottlenecks
Valuation Summaryvaluation-summary

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클러스터

360도 관계 맵

1-hop

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연결 관계

→ 나가는 연결 (22)

key-player 삼성전자 dram-supply-chain DRAM 글로벌 1위 (~41% bit M/S). 1c (EUV 5층) 양산. 평택 P4 ramp + Pyeongtaek US 신규 fab. Server DDR5 + LPDDR5x 강세
key-player SK하이닉스 dram-supply-chain DRAM ~35% bit M/S, HBM 1위. 1b EUV 4층 풀 ramp. wafer 80% HBM 집중 → conventional DRAM 자연 공급 타이트 → 본인도 가격 수혜
key-player Micron Technology dram-supply-chain DRAM ~22% bit M/S. 1γ (EUV 미적용) + 1δ EUV 검토. Boise/Syracuse 신규 fab (CHIPS Act). 데이터센터 매출 비중 55%+
supplier 솔브레인 dram-supply-chain HF·BOE·전구체·CMP slurry. Big3 모두 공급. 1α 노드 mix 확대로 매출 가속
supplier 이엔에프테크놀로지 dram-supply-chain 전구체 (Hf 기반, EUV용). 1c EUV에 신규 chemistry 채택 증가
supplier 디엔에프 dram-supply-chain 전구체 (Si 기반). Big3 + CXMT 모두 공급
supplier 원익머티리얼즈 dram-supply-chain 고순도 산업가스. EUV 챔버 환경 mix 확대로 ASP 상승
supplier 원익IPS dram-supply-chain ALD/CVD 장비. SEC P4 신규 fab + Pyeongtaek US 수주
supplier 주성엔지니어링 dram-supply-chain ALD/Etch 장비. SKH 1b 라인 채택, M16 신규 라인 동반
supplier 유진테크 dram-supply-chain ALD precursor delivery system + 챔버 부품
supplier 에프에스티 dram-supply-chain 블랭크마스크·펠리클 (EUV). EUV mask layer 수 증가에 따라 ASP 상승
adjacent Astera Labs dram-supply-chain CXL 컨트롤러 (Leo). DRAM 풀링/확장 use case 견인 → DRAM 수요 +α
adjacent Marvell dram-supply-chain CXL/DPU 컨트롤러. 메모리 풀 인프라
cross-link HBM dram-supply-chain HBM = DRAM 1z/1α/1β core die 적층. CapEx 자원 경합 + ASP spillover (HBM ASP가 평균 DRAM ASP 견인)
cross-link CXL 메모리 패브릭 dram-supply-chain CXL 2.0/3.0가 DRAM 풀링 + fabric attach 수요 견인
cross-link NAND Flash 및 eSSD dram-supply-chain Big3 IDM CapEx 자원 경합 (SEC/SKH/MU 모두 DRAM + NAND 동시 운영)
cross-link HBM memory-ai-cycle HBM die = DRAM 1z/1α 적층. CapEx 자원 경합, ASP spillover
cross-link NAND Flash 및 eSSD memory-ai-cycle Big3 IDM CapEx 자원 경합 (SEC/SKH/MU 모두 DRAM+NAND)
cross-link CXL 메모리 패브릭 memory-ai-cycle CXL이 DRAM 풀링 + fabric attach 수요 견인
key-player 삼성전자 memory-ai-cycle DRAM 글로벌 1위 (~41%)
key-player SK하이닉스 memory-ai-cycle DRAM ~35%, HBM 1위
key-player Micron Technology memory-ai-cycle DRAM ~22%, NAND/HBM 동시 IDM

← 들어오는 연결 (4)

cross-link HBM hbm-supply-chain HBM die = DRAM 1z/1α/1β core die 적층. CapEx 자원 경합 (SKH wafer 80% HBM 집중 → conventional DRAM 잠식) + ASP spillover
demand-signal Dell Technologies memory-ai-cycle AI/전통 서버 per-CPU DRAM 콘텐츠 폭증. 병목
cross-link memory-cycle memory-cycle DRAM 가격 cycle = 메모리 cycle 핵심 driver
cross-link NAND Flash 및 eSSD nand-essd-value-chain Big3 IDM (SEC/SKH/MU) CapEx 자원 경합 + 한국 supply chain 공유. NAND/DRAM 동반 supercycle (2026~)

이벤트

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